次世代パワーデバイスのための技術
高電力密度を求める市場の拡大と、次世代IGBT（Si）や炭化ケイ素（SiC）、窒化ガリウム（GaN）などのワイドバンドギャップ（WBG）半導体への移行に伴い、より堅牢で信頼性の高い相互接続技術が不可欠となっています。この技術的要求は、自動車産業にとどまらず、鉄道牽引システム（公共交通）、航空宇宙・防衛、エネルギー伝送システム（UPS、太陽光、風力）、さらには5Gや高性能コンピューティング（HPC）といった高周波通信インフラなど、幅広い重要産業へと拡大しています。
データセンターやAIアプリケーションもまた、電力密度（W/m³）の向上とシステム効率の最大化という継続的な技術課題を背景に、同様の方向へと進化しています。こうした過酷な環境で求められる性能と信頼性を実現する手段として、業界では圧力焼結（PS）がダイアタッチソリューションの主流として注目を集めています。
圧力焼結（PS）は、銀または銅の金属粒子ペーストに熱と外部からの一軸方向の圧力（通常5～40MPa）を同時に加える熱処理プロセスです。この技術により、接合部が200℃を超える高温化でも安定動作する、信頼性の高いダイアタッチソリューションが実現します。圧力により焼結体が緻密化され、残留気孔率は10%以下まで低減。高品質な金属微細構造により、焼結銀で約300W/(m・K)の優れた熱伝導率と約2μΩ・cmの低電気抵抗率が得られます。
データセンターやAIアプリケーションもまた、電力密度（W/m³）の向上とシステム効率の最大化という継続的な技術課題を背景に、同様の方向へと進化しています。こうした過酷な環境で求められる性能と信頼性を実現する手段として、業界では圧力焼結（PS）がダイアタッチソリューションの主流として注目を集めています。
圧力焼結（PS）は、銀または銅の金属粒子ペーストに熱と外部からの一軸方向の圧力（通常5～40MPa）を同時に加える熱処理プロセスです。この技術により、接合部が200℃を超える高温化でも安定動作する、信頼性の高いダイアタッチソリューションが実現します。圧力により焼結体が緻密化され、残留気孔率は10%以下まで低減。高品質な金属微細構造により、焼結銀で約300W/(m・K)の優れた熱伝導率と約2μΩ・cmの低電気抵抗率が得られます。
セラミック基板上でのダイ焼結（ダイレベル焼結）
SiC/IGBT/MOSFETダイをDBCまたはAMB基板に接合する主要プロセス。単一サイクル内でNTCサーミスタ、IGBR抵抗器、クリップ、スペーサー、ピラーなど複数部品の同時焼結に対応。
