フロントエンド、ミッドエンド、バックエンド工程で適用され、高性能化と市場投入の期間短縮に貢献。

ダイ、センサー、フレーム、上部第2DBCなどを一体焼結し、双方向放熱を最適化する複雑な多層3D構造を形成。

ダイ上面にクリップや銅箔などの部品を直接焼結。

AMXの革新的プロセス

注目を集める最新プロセス

SiC/IGBT/MOSFETダイをDBCまたはAMB基板に接合する主要プロセス。単一サイクル内でNTCサーミスタ、IGBR抵抗器、クリップ、スペーサー、ピラーなど複数部品の同時焼結に対応。