应用

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我们主要的日常应用为银烧结和铜烧结。

下一代功率器件技术

对高功率密度特性组件不断增加的需求,以及向宽带隙(WBG)半导体(如下一代IGBT(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN))的转变,需要使用强大可靠的互连技术。这种需求延伸到汽车以外的关键工业领域,包括铁路牵引系统(公共交通)、航空航天和国防、能源传输系统GRID (UPS、太阳能、风能)以及5G和高性能计算(HPC)等高频通信基础设施。
在持续提高功率密度(W/m3)和最大化系统效率的技术要求推动下,数据中心和AI应用也在朝着这个方向发展。为了确保这些严苛环境所要求的性能和可靠性,压力烧结已成为业界首选的芯片贴装解决方案。

压力烧结(PS)是一种热处理工艺,在金属颗粒膏(银/铜)上同时施加热量和外部单向压力(通常从5 MPa到40 MPa)。该技术对于实现可靠的芯片贴装解决方案至关重要,能够在结温超过200°C的情况下连续工作。施加压力可促进致密化,极大程度降低残余孔隙率,通常可低于10%。这产生了优异的块体金属微观结构,可保证卓越的导热性(例如,烧结的银∼300 W/(m⋅K))和低电阻率(∼2 μΩ⋅cm)。

陶瓷基板上的芯片烧结(芯片级烧结)

核心应用涉及SiC/IGBT/MOSFET芯片与基板(DBC或AMB)的键合。它支持在单个生产周期内同时烧结不同组件(例如,NTC热敏电阻、IGBR电阻、clip、侧墙和柱)。
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陶瓷基板上的芯片烧结(芯片级烧结)

芯片顶面和陶瓷基板上的Clip烧结

芯片顶面的Clip烧结、铜箔和其他组件。
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芯片顶面和陶瓷基板上的Clip烧结

分立应用中引线框架上的芯片烧结

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分立应用中引线框架上的芯片烧结

双面冷却(DSC)封装

形成复杂的多层3D结构,其中整体封装包括芯片、传感器、框架和顶面的第二个DBC,经烧结以优化双向散热。
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双面冷却(DSC)封装

晶圆级应用

用于前端、中端和后端工艺,可实现高性能并显著缩短上市时间。
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