애플리케이션

전력 밀도가 높은 부품에 대한 수요가 증가하고, IGBT(Si), 실리콘 카바이드(SiC), 질화 갈륨(GaN) 등 차세대 와이드 밴드갭(WBG) 반도체로의 전환이 가속화되면서, 더욱 견고하고 신뢰성 있는 접합 기술이 필수적으로 요구되고 있습니다. 이러한 기술적 요구는 자동차뿐 아니라 철도 견인 시스템(대중교통), 항공우주 및 방위산업, 전력망(UPS, 태양광, 풍력 등)과 같은 에너지 전송 시스템, 5G 및 고성능 컴퓨팅(HPC) 등 고주파 통신 인프라 전반으로 확대되고 있습니다.
데이터센터와 인공지능(AI) 산업 또한 전력 밀도를 높이고 시스템 효율을 극대화해야 하는 기술적 과제에 따라 같은 방향으로 발전 중입니다. 이런 혹독한 환경에서 요구되는 높은 성능과 신뢰성을 확보하기 위한 해법으로, 압력 소결(Pressure Sintering, PS) 공정이 업계에서 선호되는 다이 접합 솔루션으로 자리 잡고 있습니다.

압력 소결은 은이나 구리 기반의 금속 입자 페이스트에 열과 단일 방향의 외부 압력(보통 5~40MPa)을 동시에 가하는 열처리 공정입니다. 이 기술은 접합부 온도가 200°C를 초과하는 조건에서도 안정적으로 작동할 수 있는 신뢰성 높은 다이 접합 솔루션 구현에 핵심적입니다. 압력을 가하면 소결체가 치밀화되어 잔류 기공률이 보통 10% 이하로 줄어들며, 그 결과 뛰어난 금속 미세조직이 형성되어 매우 높은 열전도도(예: 소결 은(Ag) 약 300 W/(m·K))와 낮은 전기 저항률(약 2 μΩ·cm)을 확보할 수 있습니다.